收藏本站

首页 > 半导体模块 > FET > APTM20DAM05G
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

APTM20DAM05G

Microsemi Power Products Group SP6 10
询价QQ:
简述:MOSFET MOD BOOST CHOP 200V SP6
参考包装数量:1
参考包装形式:散装

与APTM20DAM05G相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
APTM20DAM08TG Microsemi Power Products Group SP4 MOSFET N-CH 200V 208A SP4 FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:标准 漏极至源极电...
APTM20DAM10TG Microsemi Power Products Group SP4 MOSFET N-CH 200V 175A SP4 FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:标准 漏极至源极电...
APTM20DHM08G Microsemi Power Products Group SP6 MOSFET MOD ASSYMMETRIC BRDG SP6 FET 型:2 N 沟道(非对称桥) FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vds...
APTM20DAM04G Microsemi Power Products Group SP6 MOSFET N-CH 200V 372A SP6 FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:标准 漏极至源极电...
APTM20AM10STG Microsemi Power Products Group SP4 MOSFET MOD PHASE LEG SER/PAR SP4 FET 型:2 N 沟道(半桥) FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vdss)...
APTM20AM10FTG Microsemi Power Products Group SP4 MOSFET MODULE PHASE LEG SP4 FET 型:2 N 沟道(半桥) FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vdss)...

APTM20DAM05G参数资料

PDF资料下载:
PDF资料下载:

FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:标准
漏极至源极电压(Vdss):200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:317A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:6 毫欧 @ 158.5A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):5V @ 10mA
闸电荷(Qg) @ Vgs:448nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:27400pF @ 25V
功率 - 最大:1136W
安装类型:底座安装

最近更新

型号类别