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APTM120U10SCAVG

Microsemi Power Products Group * 10
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简述:MOSFET PWR MOD 1200V 116A SP6
参考包装数量:1
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与APTM120U10SCAVG相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
APTM120UM70DAG Microsemi Power Products Group SP6 MOSFET N-CH 1200V 171A SP6 FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:标准 漏极至源极电...
APTM120UM70FAG Microsemi Power Products Group SP6 MOSFET N-CH 1200V 171A SP6 FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:标准 漏极至源极电...
APTM120UM95FAG Microsemi Power Products Group SP6 MOSFET N-CH 1200V 103A SP6 FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:标准 漏极至源极电...
APTM120U10SAG Microsemi Power Products Group SP6 12 MOSFET N-CH 1200V 116A SP6 FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:标准 漏极至源极电...
APTM120U10DAG Microsemi Power Products Group SP6 MOSFET N-CH 1200V 116A SP6 FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:标准 漏极至源极电...
APTM120TDU57PG Microsemi Power Products Group SP6 MOSFET MOD TRIPLE DUAL SRC SP6-P FET 型:6 N 沟道(3 相切换电路) FET 特点:标准 漏极至源极电压(...

APTM120U10SCAVG参数资料

PDF资料下载:

FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):1200V(1.2kV)
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:116A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:120 毫欧 @ 58A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):5V @ 20mA
闸电荷(Qg) @ Vgs:1100nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:28900pF @ 25V
功率 - 最大:3290W
安装类型:*

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