| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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APTM120DA29TG |
Microsemi Power Products Group | SP4 | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET N-CH 1200V 34A SP4 参考包装数量：1 参考包装形式：散装 |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| APTM120DA30T1G | Microsemi Power Products Group | SP1 | MOSFET N-CH 1200V 31A SP1 | FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点：标准 漏极至源极电... | |
| APTM120DA56T1G | Microsemi Power Products Group | SP1 | MOSFET N-CH 1200V 18A SP1 | FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点：标准 漏极至源极电... | |
| APTM120DA68T1G | Microsemi Power Products Group | SP1 | MOSFET N-CH 1200V 15A SP1 | FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点：标准 漏极至源极电... | |
| APTM120DA15G | Microsemi Power Products Group | SP6 | MOSFET N-CH 1200V 60A SP6 | FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点：标准 漏极至源极电... | |
| APTM120A80FT1G | Microsemi Power Products Group | SP1 | MOSFET MODULE PHASE LEG SP1 | FET 型：2 N 沟道（半桥） FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss)... | |
| APTM120A65FT1G | Microsemi Power Products Group | SP1 | MOSFET MODULE PHASE LEG SP1 | FET 型：2 N 沟道（半桥） FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss)... |
