收藏本站

首页 > 半导体模块 > FET > APTM100SK33T1G
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

APTM100SK33T1G

Microsemi Power Products Group SP1
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 1000V 23A SP1
参考包装数量:1
参考包装形式:散装

与APTM100SK33T1G相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
APTM100SK40T1G Microsemi Power Products Group SP1 MOSFET N-CH 1000V 20A SP1 FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:标准 漏极至源极电...
APTM100SKM90G Microsemi Power Products Group SP6 MOSFET N-CH 1000V 78A SP6 FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:标准 漏极至源极电...
APTM100TA35FPG Microsemi Power Products Group SP6 MOSFET MOD TRPL PHASE LEG SP6-P FET 型:6 N 沟道(3 相切换电路) FET 特点:标准 漏极至源极电压(...
APTM100SK18TG Microsemi Power Products Group SP4 MOSFET N-CH 1000V 43A SP4 FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:标准 漏极至源极电...
APTM100H80FT1G Microsemi Power Products Group SP1 MOSFET MODULE FULL BRIDGE SP1 FET 型:4 N 通道(半桥) FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vdss)...
APTM100H45STG Microsemi Power Products Group SP4 MOSFET FULL BRIDGE SER/PAR SP4 FET 型:4 N 通道(半桥) FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vdss)...

APTM100SK33T1G参数资料

PDF资料下载:
PDF资料下载:

FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:标准
漏极至源极电压(Vdss):1000V(1kV)
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:23A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:396 毫欧 @ 18A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):5V @ 2.5mA
闸电荷(Qg) @ Vgs:305nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:7868pF @ 25V
功率 - 最大:390W
安装类型:底座安装

最近更新

型号类别