| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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APTM100DA18T1G |
Microsemi Power Products Group | SP1 | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET N-CH 1000V 40A SP1 参考包装数量：1 参考包装形式：散装 |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| APTM100DA18TG | Microsemi Power Products Group | SP4 | MOSFET N-CH 1000V 43A SP4 | FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点：标准 漏极至源极电... | |
| APTM100DA33T1G | Microsemi Power Products Group | SP1 | MOSFET N-CH 1000V 23A SP1 | FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点：标准 漏极至源极电... | |
| APTM100DA40T1G | Microsemi Power Products Group | SP1 | MOSFET N-CH 1000V 20A SP1 | FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点：标准 漏极至源极电... | |
| APTM100AM90FG | Microsemi Power Products Group | SP6 | 14 | MOSFET 2 N CH 1000V 78A SP6 | FET 型：2 N 沟道（半桥） FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss)... |
| APTM100A46FT1G | Microsemi Power Products Group | SP1 | MOSFET MODULE PHASE LEG SP1 | FET 型：2 N 沟道（半桥） FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss)... | |
| APTM100A40FT1G | Microsemi Power Products Group | SP1 | MOSFET MODULE PHASE LEG SP1 | FET 型：2 N 沟道（半桥） FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss)... |
