收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > APT8075BVFRG
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

APT8075BVFRG

Microsemi Power Products Group TO-247-3
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 800V 12A TO-247
参考包装数量:30
参考包装形式:管件

与APT8075BVFRG相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
APT8075BVRG Microsemi Power Products Group TO-247-3 MOSFET N-CH 800V 12A TO-247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
APT80F60J Microsemi Power Products Group SOT-227-4,miniBLOC 10 MOSFET N-CH 600V 84A SOT-227 FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:标准 漏极至源极电...
APT80GA60B Microsemi Power Products Group TO-247-3 35 IGBT 600V 143A 625W TO247 IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, I...
APT8065SVRG Microsemi Power Products Group TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA MOSFET N-CH 800V 13A D3PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
APT8065BVRG Microsemi Power Products Group TO-247-3 MOSFET N-CH 800V 13A TO-247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
APT8065BVFRG Microsemi Power Products Group TO-247-3 MOSFET N-CH 800V 13A TO-247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

APT8075BVFRG参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):800V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):12A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):750 毫欧 @ 500mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):195nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):3120pF @ 25V
功率 - 最大值:260W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别