收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > APT8018L2VFRG
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

APT8018L2VFRG

Microsemi Power Products Group TO-264-3,TO-264AA
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 800V 43A TO-264MAX
参考包装数量:30
参考包装形式:管件

与APT8018L2VFRG相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
APT8018L2VRG Microsemi Power Products Group TO-264-3,TO-264AA MOSFET N-CH 800V 43A TO-264MAX FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
APT8020B2FLLG Microsemi Power Products Group TO-247-3 变式 30 MOSFET N-CH 800V 38A T-MAX FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
APT8020B2LLG Microsemi Power Products Group TO-247-3 变式 30 MOSFET N-CH 800V 38A T-MAX FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
APT8015JVR Microsemi Power Products Group SOT-227-4,miniBLOC MOSFET N-CH 800V 44A SOT-227 FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:标准 漏极至源极电...
APT8015JVFR Microsemi Power Products Group SOT-227-4,miniBLOC MOSFET N-CH 800V 44A SOT-227 FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:标准 漏极至源极电...
APT8014L2LLG Microsemi Power Products Group TO-264-3,TO-264AA MOSFET N-CH 800V 52A TO-264MAX FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

APT8018L2VFRG参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):800V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):43A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):180 毫欧 @ 21.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 5mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):610nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):10700pF @ 25V
功率 - 最大值:833W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别