收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > APT7F120B
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

APT7F120B

Microsemi Power Products Group TO-247-3 540
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 1200V 7A TO-247
参考包装数量:30
参考包装形式:管件

与APT7F120B相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
APT7F80K Microsemi Power Products Group TO-220-3 21 MOSFET N-CH 800V 7A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
APT7M120B Microsemi Power Products Group TO-247-3 1345 MOSFET N-CH 1200V 8A TO247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
APT8011JFLL Microsemi Power Products Group SOT-227-4,miniBLOC 10 MOSFET N-CH 800V 51A SOT-227 FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:标准 漏极至源极电...
APT7F100B Microsemi Power Products Group TO-247-3 MOSFET N-CH 1000V 7A TO-247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
APT77N60JC3 Microsemi Power Products Group SOT-227-4,miniBLOC 245 MOSFET N-CH 600V 77A SOT-227 FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:标准 漏极至源极电...
APT77N60BC6 Microsemi Power Products Group TO-247-3 29 MOSFET N-CH 600V 77A TO-247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

APT7F120B参数资料

PDF资料下载:
PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):1200V(1.2kV)
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):7A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):2.9 欧姆 @ 3A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):80nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2565pF @ 25V
功率 - 最大值:335W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别