收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > APT75F50L
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

APT75F50L

Microsemi Power Products Group TO-264-3,TO-264AA 25
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 500V 75A TO-264
参考包装数量:25
参考包装形式:管件

与APT75F50L相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
APT75GN120B2G Microsemi Power Products Group TO-247-3 变式 31 IGBT 1200V 200A 833W TMAX IGBT 类型:沟道和场截止 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V V...
APT75GN120J Microsemi Power Products Group ISOTOP IGBT 1200V 124A 379W SOT227 IGBT 类型:沟道和场截止 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1...
APT75GN120JDQ3 Microsemi Power Products Group ISOTOP 54 IGBT 1200V 124A 379W SOT227 IGBT 类型:沟道和场截止 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1...
APT75F50B2 Microsemi Power Products Group TO-247-3 变式 30 MOSFET N-CH 500V 75A TO-247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
APT75DQ60BG Microsemi Power Products Group TO-247-2 1255 DIODE ULT FAST 75A 600V TO-247 二极管类型:标准 电压 - (Vr)(最大):600V 电流 - 平均整流 (I...
APT75DQ120BG Microsemi Power Products Group TO-247-2 2254 DIODE ULT FAST 75A 1200V TO-247 二极管类型:标准 电压 - (Vr)(最大):1200V(1.2kV) 电流 -...

APT75F50L参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):500V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):75A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):75 毫欧 @ 37A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 2.5mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):290nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):11600pF @ 25V
功率 - 最大值:1040W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别