收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > APT6029SFLLG
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

APT6029SFLLG

Microsemi Power Products Group TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 600V 21A D3PAK
参考包装数量:30
参考包装形式:管件

与APT6029SFLLG相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
APT6029SLLG Microsemi Power Products Group TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA MOSFET N-CH 600V 21A D3PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
APT6030BVFRG Microsemi Power Products Group TO-247-3 MOSFET N-CH 600V 21A TO-247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
APT6030BVRG Microsemi Power Products Group TO-247-3 MOSFET N-CH 600V 21A TO-247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
APT6029BLLG Microsemi Power Products Group TO-247-3 660 MOSFET N-CH 600V 21A TO-247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
APT6029BFLLG Microsemi Power Products Group TO-247-3 30 MOSFET N-CH 600V 21A TO-247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
APT6025SVRG Microsemi Power Products Group TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA MOSFET N-CH 600V 25A D3PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

APT6029SFLLG参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):600V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):21A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):290 毫欧 @ 10.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):65nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2615pF @ 25V
功率 - 最大值:300W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别