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首页 > 半导体模块 > FET > APT58F50J
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APT58F50J

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简述:MOSFET N-CH 500V 58A SOT-227
参考包装数量:10
参考包装形式:管件

与APT58F50J相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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APT58F50J参数资料

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FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:标准
漏极至源极电压(Vdss):500V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:58A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:65 毫欧 @ 42A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):5V @ 2.5mA
闸电荷(Qg) @ Vgs:340nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:13500pF @ 25V
功率 - 最大:540W
安装类型:底座安装

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