收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > APT5010B2VFRG
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

APT5010B2VFRG

Microsemi Power Products Group TO-247-3 变式
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 500V 47A T-MAX
参考包装数量:30
参考包装形式:管件

与APT5010B2VFRG相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
APT5010B2VRG Microsemi Power Products Group TO-247-3 变式 MOSFET N-CH 500V 47A T-MAX FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
APT5010JFLL Microsemi Power Products Group SOT-227-4,miniBLOC 30 MOSFET N-CH 500V 41A SOT-227 FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:标准 漏极至源极电...
APT5010JLL Microsemi Power Products Group SOT-227-4,miniBLOC 8 MOSFET N-CH 500V 41A SOT-227 FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:标准 漏极至源极电...
APT5010B2LLG Microsemi Power Products Group TO-247-3 变式 30 MOSFET N-CH 500V 46A T-MAX FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
APT5010B2FLLG Microsemi Power Products Group TO-247-3 变式 30 MOSFET N-CH 500V 46A T-MAX FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
APT4M120K Microsemi Power Products Group TO-220-3 458 MOSFET N-CH 1200V 5A TO220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

APT5010B2VFRG参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):500V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):47A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):100 毫欧 @ 500mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 2.5mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):470nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):8900pF @ 25V
功率 - 最大值:520W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别