收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > APT47N65BC3G
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

APT47N65BC3G

Microsemi Power Products Group TO-247-3 30
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 650V 47A TO-247
参考包装数量:30
参考包装形式:管件

与APT47N65BC3G相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
APT48M80B2 Microsemi Power Products Group TO-247-3 变式 30 MOSFET N-CH 800V 48A T-MAX FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
APT48M80L Microsemi Power Products Group TO-264-3,TO-264AA MOSFET N-CH 800V 48A TO-264 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
APT4F120K Microsemi Power Products Group TO-220-3 174 MOSFET N-CH 1200V 4A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
APT47N60SC3G Microsemi Power Products Group TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA MOSFET N-CH 600V 47A D3PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
APT47N60BCFG Microsemi Power Products Group TO-247-3 MOSFET N-CH 600V 46A TO-247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
APT47N60BC3G Microsemi Power Products Group TO-247-3 104 MOSFET N-CH 600V 47A TO-247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

APT47N65BC3G参数资料


FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):650V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):47A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):70 毫欧 @ 30A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 2.7mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):260nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):7015pF @ 25V
功率 - 最大值:417W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别