型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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APT47F60J |
Microsemi Power Products Group | SOT-227-4,miniBLOC | 10 | 询价QQ: |
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简述:MOSFET N-CH 600V 49A SOT-227 参考包装数量:10 参考包装形式:管件 |
型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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APT47GA60JD40 | Microsemi Power Products Group | SOT-227-4,miniBLOC | 10 | IGBT 600V 87A 283W SOT-227 | IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V ... |
APT47M60J | Microsemi Power Products Group | SOT-227-4,miniBLOC | 10 | MOSFET N-CH 600V 49A SOT-227 | FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:标准 漏极至源极电... |
APT47N60BC3G | Microsemi Power Products Group | TO-247-3 | 104 | MOSFET N-CH 600V 47A TO-247 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... |
APT46GA90JD40 | Microsemi Power Products Group | SOT-227-4,miniBLOC | 10 | IGBT 900V 87A 284W SOT-227 | IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):900V ... |
APT45M100J | Microsemi Power Products Group | SOT-227-4,miniBLOC | MOSFET N-CH 1000V 45A SOT-227 | FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至... | |
APT45GP120JDQ2 | Microsemi Power Products Group | ISOTOP | 85 | IGBT 1200V 75A 329W SOT227 | IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V... |