| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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APT36N90BC3G |
Microsemi Power Products Group | TO-247-3 | 18 | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET N-CH 900V 36A TO-247 参考包装数量：30 参考包装形式：管件 |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| APT37F50B | Microsemi Power Products Group | TO-247-3 | 60 | MOSFET N-CH 500V 37A TO-247 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| APT37M100B2 | Microsemi Power Products Group | TO-247-3 变式 | 58 | MOSFET N-CH 1000V 37A T-MAX | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| APT37M100L | Microsemi Power Products Group | TO-264-3，TO-264AA | 80 | MOSFET N-CH 1000V 37A TO-264 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| APT36GA60BD15 | Microsemi Power Products Group | TO-247-3 | 40 | IGBT 600V 65A 290W TO-247 | IGBT 类型：PT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V Vge, I... |
| APT36GA60B | Microsemi Power Products Group | TO-247-3 | 30 | IGBT 600V 65A 290W TO-247 | IGBT 类型：PT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V Vge, I... |
| APT35GT120JU3 | Microsemi Power Products Group | ISOTOP | IGBT 1200V 55A 260W SOT227 | IGBT 类型：沟道和场截止 配置：单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1... |
