收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > APT30M85BVRG
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

APT30M85BVRG

Microsemi Power Products Group TO-247-3
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 300V 40A TO-247
参考包装数量:30
参考包装形式:管件

与APT30M85BVRG相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
APT30M85SVRG Microsemi Power Products Group TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA MOSFET N-CH 300V 40A D3PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
APT30N60BC6 Microsemi Power Products Group TO-247-3 MOSFET N-CH 600V 30A TO-247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
APT30N60KC6 Microsemi Power Products Group TO-220-3 45 MOSFET N-CH 600V 30A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
APT30M85BVFRG Microsemi Power Products Group TO-247-3 MOSFET N-CH 300V 40A TO-247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
APT30M70SVRG Microsemi Power Products Group TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA MOSFET N-CH 300V 48A D3PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
APT30M70BVRG Microsemi Power Products Group TO-247-3 MOSFET N-CH 300V 48A TO-247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

APT30M85BVRG参数资料

PDF资料下载:
PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):300V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):40A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):85 毫欧 @ 500mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):195nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):4950pF @ 25V
功率 - 最大值:300W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别