型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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APT24M80B |
Microsemi Power Products Group | TO-247-3 | 15 | 询价QQ: |
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简述:MOSFET N-CH 800V 25A TO-247 参考包装数量:30 参考包装形式:管件 |
型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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APT25GN120B2DQ2G | Microsemi Power Products Group | TO-247-3 变式 | 231 | IGBT 1200V 67A 272W TMAX | IGBT 类型:NPT、沟道和场截止 电压 - 集电极发射极击穿(最大):120... |
APT25GN120BG | Microsemi Power Products Group | TO-247-3 | 30 | IGBT 1200V 67A 272W TO247 | IGBT 类型:沟道和场截止 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V V... |
APT25GP120BDQ1G | Microsemi Power Products Group | TO-247-3 | 301 | IGBT 1200V 69A 417W TO247 | IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V Vge, ... |
APT24M120L | Microsemi Power Products Group | TO-264-3,TO-264AA | 32 | MOSFET N-CH 1200V 24A TO-264 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... |
APT24M120B2 | Microsemi Power Products Group | TO-247-3 变式 | 12 | MOSFET N-CH 1200V 24A T-MAX | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... |
APT24F50B | Microsemi Power Products Group | TO-247-3 | 185 | MOSFET N-CH 500V 24A TO-247 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... |