收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > APT18F60B
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

APT18F60B

Microsemi Power Products Group TO-247-3 24
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 600V 18A TO-247
参考包装数量:30
参考包装形式:管件

与APT18F60B相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
APT18M100B Microsemi Power Products Group TO-247-3 92 MOSFET N-CH 1000V 18A TO-247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
APT18M80B Microsemi Power Products Group TO-247-3 24 MOSFET N-CH 800V 19A TO-247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
APT19F100J Microsemi Power Products Group SOT-227-4,miniBLOC 6 MOSFET N-CH 1000V 20A SOT-227 FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:标准 漏极至源极电...
APT17N80SC3G Microsemi Power Products Group TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA MOSFET N-CH 800V 17A D3PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
APT17N80BC3G Microsemi Power Products Group TO-247-3 MOSFET N-CH 800V 17A TO-247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
APT17F80B Microsemi Power Products Group TO-247-3 30 MOSFET N-CH 800V 18A TO-247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

APT18F60B参数资料

PDF资料下载:
PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):600V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):19A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):390 毫欧 @ 9A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):90nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):3550pF @ 25V
功率 - 最大值:335W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别