| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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APT15GP60BDQ1G |
Microsemi Power Products Group | TO-247-3 | 3 | 询价QQ： |
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| 简述：IGBT 600V 56A 250W TO247 参考包装数量：30 参考包装形式：管件 |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| APT15GP60BG | Microsemi Power Products Group | TO-247-3 | 30 | IGBT 600V 56A 250W TO247 | IGBT 类型：PT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V Vge, I... |
| APT15GP60KG | Microsemi Power Products Group | TO-220-3 | IGBT 600V 56A 250W TO220 | IGBT 类型：PT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V Vge, I... | |
| APT15GP90BDQ1G | Microsemi Power Products Group | TO-247-3 | 64 | IGBT 900V 43A 250W TO247 | IGBT 类型：PT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：900V Vge, I... |
| APT15GN120KG | Microsemi Power Products Group | TO-220-3 | IGBT 1200V 45A 195W TO220 | IGBT 类型：沟道和场截止 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1200V V... | |
| APT15GN120BDQ1G | Microsemi Power Products Group | TO-247-3 | 37 | IGBT 1200V 45A 195W TO247 | IGBT 类型：沟道和场截止 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1200V V... |
| APT15F60B | Microsemi Power Products Group | TO-247-3 | 30 | MOSFET N-CH 600V 15A TO-247 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
