收藏本站

首页 > 分离式半导体产品 > IGBT - 单路 > APT13GP120BDQ1G
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

APT13GP120BDQ1G

Microsemi Power Products Group TO-247-3 34
询价QQ:
简述:IGBT 1200V 41A 250W TO247
参考包装数量:30
参考包装形式:管件

与APT13GP120BDQ1G相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
APT13GP120BG Microsemi Power Products Group TO-247-3 IGBT 1200V 41A 250W TO247 IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V Vge, ...
APT13GP120KG Microsemi Power Products Group TO-220-3 IGBT 1200V 41A 250W TO220 IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V Vge, ...
APT14050JVFR Microsemi Power Products Group SOT-227-4,miniBLOC MOSFET N-CH 1400V 23A SOT-227 FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至...
APT13F120B Microsemi Power Products Group TO-247-3 202 MOSFET N-CH 1200V 14A TO247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
APT12M80B Microsemi Power Products Group TO-247-3 9 MOSFET N-CH 800V 13A TO-247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
APT12GT60BRG Microsemi Power Products Group TO-247-3 5 IGBT 600V 25A 108W TO247 IGBT 类型:NPT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, ...

APT13GP120BDQ1G参数资料

PDF资料下载:
PDF资料下载:

IGBT 类型:PT
电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V
Vge, Ic时的最大Vce(开):3.9V @ 15V,13A
电流 - 集电极 (Ic)(最大):41A
功率 - 最大:250W
输入类型:标准
安装类型:通孔

最近更新

型号类别