收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > APT12F60K
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

APT12F60K

Microsemi Power Products Group TO-220-3
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 600V 12A TO-220
参考包装数量:50
参考包装形式:管件

与APT12F60K相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
APT12GT60BRG Microsemi Power Products Group TO-247-3 5 IGBT 600V 25A 108W TO247 IGBT 类型:NPT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, ...
APT12M80B Microsemi Power Products Group TO-247-3 9 MOSFET N-CH 800V 13A TO-247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
APT13F120B Microsemi Power Products Group TO-247-3 202 MOSFET N-CH 1200V 14A TO247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
APT1222A Panasonic Electric Works 6-SMD 2945 RELAY PHOTOTRIAC 600VAC 6-SMD 电压 - 隔离:5000Vrms 通道数:1 电压 - 断路:600V 输出类型...
APT1222 Panasonic Electric Works 6-DIP(0.300",7.62mm) 144 RELAY PHOTOTRIAC 600VAC 6-DIP 电压 - 隔离:5000Vrms 通道数:1 电压 - 断路:600V 输出类型...
APT1221SZ Panasonic Electric Works 4-SMD,鸥翼型 RELAY PHOTOTRIAC 600V 4-SOP 电压 - 隔离:3750Vrms 通道数:1 电压 - 断路:600V 输出类型...

APT12F60K参数资料

PDF资料下载:
PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):600V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):12A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):620 毫欧 @ 6A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 500µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):55nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2200pF @ 25V
功率 - 最大值:225W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别