| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
|---|---|---|---|---|---|
APT11N80KC3G |
Microsemi Power Products Group | TO-220-3 | 763 | 询价QQ： |
|
| 简述：MOSFET N-CH 800V 11A TO-220 参考包装数量：50 参考包装形式：管件 |
|||||
| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
|---|---|---|---|---|---|
| APT1201R2BFLLG | Microsemi Power Products Group | TO-247-3 | 30 | MOSFET N-CH 1200V 12A TO-247 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| APT1201R2SFLLG | Microsemi Power Products Group | TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA | MOSFET N-CH 1200V 12A D3PAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| APT1201R4BFLLG | Microsemi Power Products Group | TO-247-3 | 38 | MOSFET N-CH 1200V 9A TO-247 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| APT11N80BC3G | Microsemi Power Products Group | TO-247-3 | 51 | MOSFET N-CH 800V 11A TO-247 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| APT11GF120KRG | Microsemi Power Products Group | TO-220-3 | IGBT 1200V 25A 156W TO220 | IGBT 类型：NPT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1200V Vge,... | |
| APT11GF120BRDQ1G | Microsemi Power Products Group | TO-247-3 | IGBT 1200V 25A 156W TO247 | IGBT 类型：NPT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1200V Vge,... |
