收藏本站

首页 > 半导体模块 > FET > APT10M11JVRU2
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

APT10M11JVRU2

Microsemi Power Products Group SOT-227-4,miniBLOC 18
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 100V 142A SOT227
参考包装数量:1
参考包装形式:散装

与APT10M11JVRU2相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
APT10M11JVRU3 Microsemi Power Products Group SOT-227-4,miniBLOC 18 MOSFET N-CH 100V 142A SOT227 FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:标准 漏极至源极电...
APT10M11LVFRG Microsemi Power Products Group TO-264-3,TO-264AA MOSFET N-CH 100V 100A TO-264 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
APT10M19BVFRG Microsemi Power Products Group TO-247-3 MOSFET N-CH 100V 75A TO-247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
APT10M11JVFR Microsemi Power Products Group SOT-227-4,miniBLOC MOSFET N-CH 100V 144A SOT-227 FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:标准 漏极至源极电...
APT10M11B2VFRG Microsemi Power Products Group TO-247-3 变式 MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
APT10M09LVFRG Microsemi Power Products Group TO-264-3,TO-264AA MOSFET N-CH 100V 100A TO-264 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

APT10M11JVRU2参数资料

PDF资料下载:
PDF资料下载:

FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:标准
漏极至源极电压(Vdss):100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:142A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:11 毫欧 @ 71A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 2.5mA
闸电荷(Qg) @ Vgs:300nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:8600pF @ 25V
功率 - 最大:450W
安装类型:底座安装

最近更新

型号类别