收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > APT1001R6BFLLG
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

APT1001R6BFLLG

Microsemi Power Products Group TO-247-3 30
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 1000V 8A TO-247
参考包装数量:30
参考包装形式:管件

与APT1001R6BFLLG相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
APT1001R6SFLLG Microsemi Power Products Group TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA MOSFET N-CH 1000V 8A D3PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
APT1001RBVFRG Microsemi Power Products Group TO-247-3 MOSFET N-CH 1000V 11A TO-247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
APT1001RBVRG Microsemi Power Products Group TO-247-3 MOSFET N-CH 1000V 11A TO-247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
APSX750 Tripp Lite INVERTER 750W 12VDC OR 230VAC ...
APSX1250 Tripp Lite INVERTER 1250W 12VDC OR 230VAC ...
APSRM4 Tripp Lite REMOTE CONTROL MODULE FOR APS/PV ...

APT1001R6BFLLG参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):1000V(1kV)
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):8A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):1.6 欧姆 @ 4A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):55nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1320pF @ 25V
功率 - 最大值:266W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别