收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > AOTF9N50
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

AOTF9N50

Alpha & Omega Semiconductor Inc TO-220-3 整包
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 500V 9A TO220F
参考包装数量:50
参考包装形式:管件

与AOTF9N50相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
AOTF9N70 Alpha & Omega Semiconductor Inc TO-220-3 整包 MOSFET N-CH 700V 9A TO220F FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
AOU1N60 Alpha & Omega Semiconductor Inc TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA MOSFET N-CH 600V 1.3A TO251 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
AOU2N60 Alpha & Omega Semiconductor Inc TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA MOSFET N-CH 600V 2A TO251 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
AOTF8N80 Alpha & Omega Semiconductor Inc TO-220-3 整包 MOSFET N-CH 800V 7.4A TO220F FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
AOTF8N65 Alpha & Omega Semiconductor Inc TO-220-3 整包 MOSFET N-CH 650V 8A TO220F FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
AOTF8N60 Alpha & Omega Semiconductor Inc TO-220-3 整包 MOSFET N-CH 600V 8A TO220F FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

AOTF9N50参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):500V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):9A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):850 毫欧 @ 4.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):28nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1042pF @ 25V
功率 - 最大值:38.5W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别