收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > AOTF27S60L
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

AOTF27S60L

Alpha & Omega Semiconductor Inc TO-220-3 整包
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 600V 27A TO220F
参考包装数量:50
参考包装形式:管件

与AOTF27S60L相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
AOTF2918L Alpha & Omega Semiconductor Inc TO-220-3 整包 1000 MOSFET N-CH 100V 58A TO220F FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
AOTF298L Alpha & Omega Semiconductor Inc TO-220-3 整包 993 MOSFET N-CH 100V 33A TO220F FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
AOTF29S50L Alpha & Omega Semiconductor Inc TO-220-3 整包 MOSFET N-CH 500V 29A TO220F FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
AOTF266L Alpha & Omega Semiconductor Inc TO-220-3 整包 MOSFET N-CH 60V 18A TO220F FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
AOTF2618L Alpha & Omega Semiconductor Inc TO-220-3 整包 MOSFET N-CH 60V 16A TO220F FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
AOTF2606L Alpha & Omega Semiconductor Inc TO-220-3 整包 MOSFET N-CH 60V 13A TO220F FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

AOTF27S60L参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):600V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):27A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):160 毫欧 @ 13.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):26nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1294pF @ 100V
功率 - 最大值:50W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别