收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > AOTF18N65L
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

AOTF18N65L

Alpha & Omega Semiconductor Inc TO-220-3 整包
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 650V 18A TO220F
参考包装数量:50
参考包装形式:管件

与AOTF18N65L相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
AOTF20N40L Alpha & Omega Semiconductor Inc TO-220-3 整包 MOSFET N-CH 400V 20A TO220F FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
AOTF20N60 Alpha & Omega Semiconductor Inc TO-220-3 整包 MOSFET N-CH 600V 20A TO220F FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
AOTF20S60L Alpha & Omega Semiconductor Inc TO-220-3 整包 998 MOSFET N-CH 600V 20A TO220F FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
AOTF18N65 Alpha & Omega Semiconductor Inc TO-220-3 整包 MOSFET N-CH 600V 18A TO220F FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
AOTF16N50 Alpha & Omega Semiconductor Inc TO-220-3 整包 MOSFET N-CH 500V 16A TO220F FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
AOTF15S65L Alpha & Omega Semiconductor Inc TO-220-3 整包 MOSFET N-CH 650V 15A TO220F FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

AOTF18N65L参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):650V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):18A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):390 毫欧 @ 9A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):68nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):3785pF @ 25V
功率 - 最大值:50W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别