收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > AOT5N60
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

AOT5N60

Alpha & Omega Semiconductor Inc TO-220-3 837
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 600V 5A TO-220
参考包装数量:1000
参考包装形式:管件

与AOT5N60相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
AOT7N60 Alpha & Omega Semiconductor Inc TO-220-3 719 MOSFET N-CH 600V 7A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
AOT7N65 Alpha & Omega Semiconductor Inc TO-220-3 MOSFET N-CH 650V 7A TO220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
AOT7N70 Alpha & Omega Semiconductor Inc TO-220-3 MOSFET N-CH 700V 7A TO220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
AOT5N50 Alpha & Omega Semiconductor Inc TO-220-3 1550 MOSFET N-CH 500V 5A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
AOT5B60D Alpha & Omega Semiconductor Inc TO-220-3 IGBT 600V 10A 82.4W TO220 IGBT 类型:- 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, Ic...
AOT502 Alpha & Omega Semiconductor Inc TO-220-3 MOSFET N-CH CLAMPED 9A TO220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

AOT5N60参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):600V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):5A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):1.8 欧姆 @ 2.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):20nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):700pF @ 25V
功率 - 最大值:132W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别