收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > AOT25S65L
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

AOT25S65L

Alpha & Omega Semiconductor Inc TO-220-3
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 650V 25A TO220
参考包装数量:50
参考包装形式:管件

与AOT25S65L相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
AOT2606L Alpha & Omega Semiconductor Inc TO-220-3 MOSFET N-CH 60V 13A TO220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
AOT2608L Alpha & Omega Semiconductor Inc TO-220-3 999 MOSFET N-CH 60V 11A TO220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
AOT260L Alpha & Omega Semiconductor Inc TO-220-3 MOSFET N-CH 60V 140A TO220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
AOT254L Alpha & Omega Semiconductor Inc TO-220-3 MOSFET N-CH 150V 4.2A TO220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
AOT240L Alpha & Omega Semiconductor Inc TO-220-3 190 MOSFET N-CH 40V 105A TO220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
AOT22N50L Alpha & Omega Semiconductor Inc TO-220-3 992 MOSFET N-CH 500V 22A TO220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

AOT25S65L参数资料

PDF资料下载:
PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):650V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):25A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):190 毫欧 @ 12.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):26.4nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1278pF @ 100V
功率 - 最大值:357W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别