收藏本站

首页 > 分离式半导体产品 > FET - 阵列 > AO5804E
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

AO5804E

Alpha & Omega Semiconductor Inc SC-89-6,SOT-666 6000
询价QQ:
简述:MOSFET 2N-CH 20V 0.5A SC89-6L
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与AO5804E相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
AO6400 Alpha & Omega Semiconductor Inc SC-74,SOT-457 3000 MOSFET N-CH 30V 6.9A 6-TSOP FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
AO6401A Alpha & Omega Semiconductor Inc SC-74,SOT-457 MOSFET P-CH -30V -3.7A 6-TSOP FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
AO6402A Alpha & Omega Semiconductor Inc SC-74,SOT-457 MOSFET N-CH 30V 7A 6-TSOP FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
AO5803E Alpha & Omega Semiconductor Inc SOT-563,SOT-666 6000 MOSFET 2P-CH 20V 0.6A SC89-6L FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
AO5800E Alpha & Omega Semiconductor Inc SC-89-6,SOT-666 MOSFET 2N-CH 60V 0.4A SC89-6L FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
AO5600E Alpha & Omega Semiconductor Inc SC-89-6,SOT-666 6000 MOSFET COMPL 20V .6A/.5A SC89-6L FET 型:N 和 P 沟道 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss...

AO5804E参数资料

PDF资料下载:

FET 型:2 个 N 沟道(双)
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:500mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:550 毫欧 @ 500mA,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大):1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:1nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds:45pF @ 10V
功率 - 最大:280mW
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别