| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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ALD114835PCL |
Advanced Linear Devices Inc | 16-DIP（0.300"，7.62mm） | 41 | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET N-CH 10.6V QUAD 16PDIP 参考包装数量：25 参考包装形式：管件 |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
|---|---|---|---|---|---|
| ALD114835SCL | Advanced Linear Devices Inc | 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N-CH 10.6V QUAD 16SOIC | FET 型：4 N 沟道，配对 FET 特点：耗尽模式 漏极至源极电压(Vdss... | |
| ALD114904APAL | Advanced Linear Devices Inc | 8-DIP（0.300"，7.62mm） | 68 | MOSFET N-CH 10.6V DUAL 8PDIP | FET 型：2 N 沟道（双）配对 FET 特点：耗尽模式 漏极至源极电压(Vd... |
| ALD114904ASAL | Advanced Linear Devices Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 90 | MOSFET N-CH 10.6V DUAL 8SOIC | FET 型：2 N 沟道（双）配对 FET 特点：耗尽模式 漏极至源极电压(Vd... |
| ALD114813SCL | Advanced Linear Devices Inc | 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 86 | MOSFET N-CH 10.6V QUAD 16SOIC | FET 型：4 N 沟道，配对 FET 特点：耗尽模式 漏极至源极电压(Vdss... |
| ALD114813PCL | Advanced Linear Devices Inc | 16-DIP（0.300"，7.62mm） | 36 | MOSFET N-CH 10.6V QUAD 16PDIP | FET 型：4 N 沟道，配对 FET 特点：耗尽模式 漏极至源极电压(Vdss... |
| ALD114804SCL | Advanced Linear Devices Inc | 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 81 | MOSFET N-CH 10.6V QUAD 16SOIC | FET 型：4 N 沟道，配对 FET 特点：耗尽模式 漏极至源极电压(Vdss... |
