收藏本站

首页 > 分离式半导体产品 > FET - 阵列 > ALD1101ASAL
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

ALD1101ASAL

Advanced Linear Devices Inc 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 81
询价QQ:
简述:MOSFET 2N-CH 13.2V 40MA 8SOIC
参考包装数量:50
参考包装形式:管件

与ALD1101ASAL相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
ALD1101BPAL Advanced Linear Devices Inc 8-DIP(0.300",7.62mm) MOSFET 2N-CH 13.2V 40MA 8PDIP FET 型:2 N 沟道(双)配对 FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vdss...
ALD1101PAL Advanced Linear Devices Inc 8-DIP(0.300",7.62mm) 67 MOSFET 2N-CH 13.2V 40MA 8PDIP FET 型:2 N 沟道(双)配对 FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vdss...
ALD1101SAL Advanced Linear Devices Inc 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 87 MOSFET 2N-CH 13.2V 40MA 8SOIC FET 型:2 N 沟道(双)配对 FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vdss...
ALD1101APAL Advanced Linear Devices Inc 8-DIP(0.300",7.62mm) 82 MOSFET 2N-CH 13.2V 40MA 8PDIP FET 型:2 N 沟道(双)配对 FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vdss...
ALD10F48N-L Emerson Network Power 8-DIP 模块 269 CONV DC/DC 3.3V 10A 35W 类型:非隔离(POL) 输出数:1 电压 - 输入(最小):36V 电压 - 输...
ALD10F48N-6L Emerson Network Power 8-DIP 模块,1/16 砖 403 CONV DC/DC 33W 36-75VIN 10A 类型:隔离 输出数:1 电压 - 输入(最小):36V 电压 - 输入(最大):...

ALD1101ASAL参数资料

PDF资料下载:

FET 型:2 N 沟道(双)配对
FET 特点:标准
漏极至源极电压(Vdss):13.2V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:40mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:75 欧姆 @ 5V
Id 时的 Vgs(th)(最大):1V @ 10µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:-
输入电容 (Ciss) @ Vds:-
功率 - 最大:500mW
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别