收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > 5LN01C-TB-E
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

5LN01C-TB-E

ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 50V 100MA 3CP
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与5LN01C-TB-E相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
5LN01C-TB-H ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MOSFET N-CH 50V 100MA CP FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
5LN01M-TL-H ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MOSFET N-CH 50V 100MA SC59 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
5LN01SP-AC ON Semiconductor 3-SIP 0+12500 MOSFET N-CH 50V 100MA SPA FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
5KQ331JOCAM AVX Corporation 径向,圆盘 CAP CER 330PF 500V 5% RADIAL 电容:330pF 电压 - 额定:500V 容差:±5% 温度系数...
5KP90C-B Littelfuse Inc P600,轴向 TVS AXIAL HI POWER 电压 - 反向关态(典型值):90V 电压 - 击穿:100V 功率 (W):5...
5KP90CA-G Comchip Technology R6,轴向 TVS 5000W 90V BIDIR R-6 电压 - 反向关态(典型值):90V 电压 - 击穿:100V 功率 (W):5...

5LN01C-TB-E参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):50V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):100mA
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):7.8 欧姆 @ 50mA,4V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):-
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):1.57nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):6.6pF @ 10V
功率 - 最大值:250mW
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别