收藏本站

首页 > 分离式半导体产品 > JFET(结点场效应 > 2SK596S-B
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

2SK596S-B

ON Semiconductor SC-72
询价QQ:
简述:MOSFET J-FET N-CH 20V 1MA SPA
参考包装数量:500
参考包装形式:散装

与2SK596S-B相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
2SK669-AC SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation 3-SIP MOSFET N-CH 50V 100MA 3SPA FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
2SK715U ON Semiconductor SC-72 MOSFET J-FET N-CH 50V 15MA SPA 电流 - 漏极(Idss) @ Vds (Vgs=0):7.3mA @ 5V 漏...
2SK715U-AC ON Semiconductor SC-72 MOSFET J-FET N-CH 50V 15MA SPA 电流 - 漏极(Idss) @ Vds (Vgs=0):7.3mA @ 5V 漏...
2SK545-11D-TB-E ON Semiconductor * MOSFET J-FET N-CH CP 电流 - 漏极(Idss) @ Vds (Vgs=0):60µA @...
2SK536-TB-E SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MOSFET N-CH 50V 100MA 3CP FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
2SK4222 ON Semiconductor TO-3P-3,SC-65-3 MOSFET N-CH 600V 23A TO-3PB FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

2SK596S-B参数资料

PDF资料下载:

电流 - 漏极(Idss) @ Vds (Vgs=0):150µA @ 5V
漏极至源极电压(Vdss):-
漏极电流 (Id) - 最大:1mA
FET 型:N 沟道
电压 - 击穿 (V(BR)GSS):-
电压 - 切断 (VGS 关)@ Id:400mV @ 1µA
输入电容 (Ciss) @ Vds:4.1pF @ 5V
电阻 - RDS(开):-
安装类型:通孔
包装:散装

最近更新

型号类别