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首页 > 分离式半导体产品 > RF 晶体管 (BJT) > 2SA1815-4-TB-E
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2SA1815-4-TB-E

SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 闂傚倸鍊搁崐鐑芥倿閿曗偓椤啴宕归鍛數闂侀€炲苯澧扮紒杈ㄥ浮楠炴捇骞掑┑鍫濇倯闂備浇顕栭崹顖炴倿閿斿墽鐭夐柟鐑樻煛閸嬫捇鏁愭惔鈥茬凹濠电偛鎳忛悧鐘差潖閾忚宕夐柕濞垮劜閻濄垽姊洪悷鏉挎闁瑰嚖鎷�0755-83217923
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简述:TRANS PNP 12V 50MA 3CP
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

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型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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2SA1815-4-TB-E参数资料

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晶体管类型:PNP
电压 - 集电极发射极击穿(最大):12V
频率 - 转换:750MHz
噪声系数(dB典型值@频率):-
增益:25dB
功率 - 最大:250mW
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):90 @ 5mA,10V
电流 - 集电极 (Ic)(最大):50mA
安装类型:表面贴装

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