收藏本站

首页 > 分离式半导体产品 > FET - 阵列 > 2N7002BKS,115
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

2N7002BKS,115

NXP Semiconductors 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 12041
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 60V 300MA 6TSSOP
参考包装数量:1
参考包装形式:剪切带 (CT)

与2N7002BKS,115相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
2N7002BKT,115 NXP Semiconductors SC-75,SOT-416 7299 MOSFET N-CH 60V 290MA SOT416 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
2N7002BKV,115 NXP Semiconductors SOT-563,SOT-666 4000 MOSFET N-CH 60V 340MA SOT666 FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
2N7002BKW,115 NXP Semiconductors SC-70,SOT-323 9000 MOSFET N-CH 60V 310MA SOT323 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
2N7002BKMB,315 NXP Semiconductors MOSFET N-CH 60V 450MA SOT883 ...
2N7002BKM,315 NXP Semiconductors SC-101,SOT-883 MOSFET N-CH 60V 450MA SOT883 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
2N7002BK,215 NXP Semiconductors TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 3000 MOSFET N-CH 60V 350MA SOT23 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

2N7002BKS,115参数资料

PDF资料下载:

FET 型:2 个 N 沟道(双)
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:300mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:1.6 欧姆 @ 500mA,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):2.1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:0.6nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds:50pF @ 10V
功率 - 最大:295mW
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别