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1PMT5929BT1G

ON Semiconductor DO-216AA 0+9000
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简述:DIODE ZENER 15V 3.2W POWERMITE
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与1PMT5929BT1G相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
1PMT5933BT1G ON Semiconductor DO-216AA DIODE ZENER 22V 3.2W POWERMITE 电压 - 齐纳(标称)(Vz):22V 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(...
1PMT5935BT1G ON Semiconductor DO-216AA DIODE ZENER 27V 3.2W POWERMITE 电压 - 齐纳(标称)(Vz):27V 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(...
1PMT5941BT1G ON Semiconductor DO-216AA 0+24000 DIODE ZENER 47V 3.2W POWERMITE 电压 - 齐纳(标称)(Vz):47V 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(...
1PMT5927BT1G ON Semiconductor DO-216AA DIODE ZENER 12V 3.2W POWERMITE 电压 - 齐纳(标称)(Vz):12V 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(...
1PMT5924BT1G ON Semiconductor DO-216AA 3000 DIODE ZENER 9.1V 3.2W POWERMITE 电压 - 齐纳(标称)(Vz):9.1V 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)...
1PMT5921BT1G ON Semiconductor DO-216AA 3000 DIODE ZENER 6.8V 3.2W POWERMITE 电压 - 齐纳(标称)(Vz):6.8V 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)...

1PMT5929BT1G参数资料

PDF资料下载:

电压 - 齐纳(标称)(Vz):15V
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大):1.25V @ 200mA
电流 - 在 Vr 时反向漏电:1µA @ 11.4V
容差:±5%
功率 - 最大:3.2W
阻抗(最大)(Zzt):9 欧姆
安装类型:表面贴装

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