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1N4623-1E3TR

Microsemi Commercial Components Group *
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简述:DIODE ZENER 4.3V 250MW DO-35
参考包装数量:2500
参考包装形式:*

与1N4623-1E3TR相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
1N4728A Fairchild Semiconductor DO-204AL,DO-41,轴向 DIODE ZENER 3.3V 1W DO-41 电压 - 齐纳(标称)(Vz):3.3V 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)...
1N4728A,113 NXP Semiconductors DO-204AL,DO-41,轴向 25000 DIODE ZENER 3.3V 1W DO-41 电压 - 齐纳(标称)(Vz):3.3V 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)...
1N4728A,133 NXP Semiconductors DO-204AL,DO-41,轴向 DIODE VREG 3.3V 276MA DO-41 电压 - 齐纳(标称)(Vz):3.3V 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)...
1N459TR Fairchild Semiconductor DO-204AH,DO-35,轴向 DIODE HI CONDUCTANCE 200V DO-35 二极管类型:标准 电压 - (Vr)(最大):200V 电流 - 平均整流 (I...
1N459ATR Fairchild Semiconductor DO-204AH,DO-35,轴向 20000 DIODE HI CONDUCTANCE 200V DO-35 二极管类型:标准 电压 - (Vr)(最大):200V 电流 - 平均整流 (I...
1N459A_T50R Fairchild Semiconductor DO-204AH,DO-35,轴向 DIODE HI CONDUCTANCE 200V DO-35 二极管类型:标准 电压 - (Vr)(最大):200V 电流 - 平均整流 (I...

1N4623-1E3TR参数资料


电压 - 齐纳(标称)(Vz):4.3V
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大):1.1V @ 200mA
电流 - 在 Vr 时反向漏电:4µA @ 2V
容差:±5%
功率 - 最大:250mW
阻抗(最大)(Zzt):1600 欧姆
安装类型:*

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