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1N4150W-V-GS08

Vishay Semiconductors SOD-123 9000
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简述:DIODE SWITCH SS 50V 200MA SOD123
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与1N4150W-V-GS08相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
1N4151 Fairchild Semiconductor DO-204AH,DO-35,轴向 DIODE SGL JUNCT 75V 4.0NS DO-35 二极管类型:标准 电压 - (Vr)(最大):75V 电流 - 平均整流 (Io...
1N4151_T50R Fairchild Semiconductor DO-204AH,DO-35,轴向 DIODE SGL JUNCT 75V 4.0NS DO-35 二极管类型:标准 电压 - (Vr)(最大):75V 电流 - 平均整流 (Io...
1N4151TR Fairchild Semiconductor DO-204AH,DO-35,轴向 DIODE SGL JUNCT 75V 4.0NS DO-35 二极管类型:标准 电压 - (Vr)(最大):75V 电流 - 平均整流 (Io...
1N4150TR Vishay Semiconductors DO-204AH,DO-35,轴向 40000 DIODE SWITCH SS 50V 300MA DO35 二极管类型:标准 电压 - (Vr)(最大):50V 电流 - 平均整流 (Io...
1N4150T-72 Rohm Semiconductor DO-204AH,DO-35,轴向 DIODE SWITCH 200MA 50V HS DO35 二极管类型:标准 电压 - (Vr)(最大):50V 电流 - 平均整流 (Io...
1N4150_T50R Fairchild Semiconductor DO-204AH,DO-35,轴向 DIODE 50V 200MA DO35 二极管类型:标准 电压 - (Vr)(最大):50V 电流 - 平均整流 (Io...

1N4150W-V-GS08参数资料


二极管类型:标准
电压 - (Vr)(最大):50V
电流 - 平均整流 (Io):200mA
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大):1V @ 200mA
速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
反向恢复时间(trr):4ns
电流 - 在 Vr 时反向漏电:100nA @ 50V
电容@ Vr, F:-
安装类型:表面贴装

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