| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 参数 | PDF资料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| LRF2512-R020FW | TT Electronics/Welwyn | 2512（6432 公制） | 5400 | RES 0.02 OHM 1.5W 2512 1% SMD | 电阻（欧姆）：0.02 功率（瓦特）：1.5W 复合体：陶瓷 特点：获得 AEC... | |
| LRF2512-R025FW | TT Electronics/Welwyn | 2512（6432 公制） | 1800 | RES 0.025 OHM 1.5W 2512 1% SMD | 电阻（欧姆）：0.025 功率（瓦特）：1.5W 复合体：陶瓷 特点：获得 AE... | |
| LRF3W-R0050JW | TT Electronics/Welwyn | 2512（6432 公制）宽（长侧）1225（3264 公制） | 5817 | RES 0.005 OHM 3W 2512 5% SMD | 电阻（欧姆）：0.005 功率（瓦特）：3W 复合体：厚膜 特点：电流检测 温度... | |
| LRF3W-R010JW | TT Electronics/Welwyn | 2512（6432 公制）宽（长侧）1225（3264 公制） | 3358 | RES 0.01 OHM 3W 2512 5% SMD | 电阻（欧姆）：0.01 功率（瓦特）：3W 复合体：厚膜 特点：电流检测 温度系... | |
| LRF3W-R020JW | TT Electronics/Welwyn | 2512（6432 公制）宽（长侧）1225（3264 公制） | 5400 | RES 0.02 OHM 3W 2512 5% SMD | 电阻（欧姆）：0.02 功率（瓦特）：3W 复合体：厚膜 特点：获得 AEC-Q... | |
| LRF3W-R030JW | TT Electronics/Welwyn | 2512（6432 公制）宽（长侧）1225（3264 公制） | 5400 | RES 0.03 OHM 3W 2512 5% SMD | 电阻（欧姆）：0.03 功率（瓦特）：3W 复合体：厚膜 特点：获得 AEC-Q... | |
| LRF3W-R050JW | TT Electronics/Welwyn | 2512（6432 公制）宽（长侧）1225（3264 公制） | 5748 | RES 0.05 OHM 3W 2512 5% SMD | 电阻（欧姆）：0.05 功率（瓦特）：3W 复合体：厚膜 特点：获得 AEC-Q... | |
| LRF3W-R10JW | TT Electronics/Welwyn | 2512（6432 公制）宽（长侧）1225（3264 公制） | 3600 | RES 0.10 OHM 3W 2512 5% SMD | 电阻（欧姆）：0.1 功率（瓦特）：3W 复合体：厚膜 特点：获得 AEC-Q2... | |
| LTR10EVHFL1R00 | Rohm Semiconductor | 0805（2012 公制）宽（长侧）0508（1220 公制） | 9015 | RES 1.00 OHM 1/2W 1% 2012 WIDE | 电阻（欧姆）：1 功率（瓦特）：0.5W，1/2W 复合体：厚膜 特点：脉冲耐受... | |
| LTR10EVHFL1R10 | Rohm Semiconductor | 0805（2012 公制）宽（长侧）0508（1220 公制） | 5000 | RES 1.10 OHM 1/2W 1% 2012 WIDE | 电阻（欧姆）：1.1 功率（瓦特）：0.5W，1/2W 复合体：厚膜 特点：脉冲... | |
| LTR10EVHFL1R20 | Rohm Semiconductor | 0805（2012 公制）宽（长侧）0508（1220 公制） | 5000 | RES 1.20 OHM 1/2W 1% 2012 WIDE | 电阻（欧姆）：1.2 功率（瓦特）：0.5W，1/2W 复合体：厚膜 特点：脉冲... | |
| LTR10EVHFL1R30 | Rohm Semiconductor | 0805（2012 公制）宽（长侧）0508（1220 公制） | 5000 | RES 1.30 OHM 1/2W 1% 2012 WIDE | 电阻（欧姆）：1.3 功率（瓦特）：0.5W，1/2W 复合体：厚膜 特点：脉冲... | |
| LTR10EVHFL1R50 | Rohm Semiconductor | 0805（2012 公制）宽（长侧）0508（1220 公制） | 5000 | RES 1.50 OHM 1/2W 1% 2012 WIDE | 电阻（欧姆）：1.5 功率（瓦特）：0.5W，1/2W 复合体：厚膜 特点：脉冲... | |
| LTR10EVHFL1R60 | Rohm Semiconductor | 0805（2012 公制）宽（长侧）0508（1220 公制） | 5000 | RES 1.60 OHM 1/2W 1% 2012 WIDE | 电阻（欧姆）：1.6 功率（瓦特）：0.5W，1/2W 复合体：厚膜 特点：脉冲... | |
| LTR10EVHFL1R80 | Rohm Semiconductor | 0805（2012 公制）宽（长侧）0508（1220 公制） | 5000 | RES 1.80 OHM 1/2W 1% 2012 WIDE | 电阻（欧姆）：1.8 功率（瓦特）：0.5W，1/2W 复合体：厚膜 特点：脉冲... | |
| LTR10EVHFL2R00 | Rohm Semiconductor | 0805（2012 公制）宽（长侧）0508（1220 公制） | 8985 | RES 2.00 OHM 1/2W 1% 2012 WIDE | 电阻（欧姆）：2 功率（瓦特）：0.5W，1/2W 复合体：厚膜 特点：脉冲耐受... | |
| LTR10EVHFL2R20 | Rohm Semiconductor | 0805（2012 公制）宽（长侧）0508（1220 公制） | 5000 | RES 2.20 OHM 1/2W 1% 2012 WIDE | 电阻（欧姆）：2.2 功率（瓦特）：0.5W，1/2W 复合体：厚膜 特点：脉冲... | |
| LTR10EVHFL2R40 | Rohm Semiconductor | 0805（2012 公制）宽（长侧）0508（1220 公制） | 5000 | RES 2.40 OHM 1/2W 1% 2012 WIDE | 电阻（欧姆）：2.4 功率（瓦特）：0.5W，1/2W 复合体：厚膜 特点：脉冲... | |
| LTR10EVHFL2R70 | Rohm Semiconductor | 0805（2012 公制）宽（长侧）0508（1220 公制） | 9840 | RES 2.70 OHM 1/2W 1% 2012 WIDE | 电阻（欧姆）：2.7 功率（瓦特）：0.5W，1/2W 复合体：厚膜 特点：脉冲... | |
| LTR10EVHFL3R00 | Rohm Semiconductor | 0805（2012 公制）宽（长侧）0508（1220 公制） | 5000 | RES 3.00 OHM 1/2W 1% 2012 WIDE | 电阻（欧姆）：3 功率（瓦特）：0.5W，1/2W 复合体：厚膜 特点：脉冲耐受... |
