型号 |
品牌 |
封装 |
数量 |
描述 |
参数 |
PDF资料 |
HVCB1206JTL6M00 |
Stackpole Electronics Inc
|
1306(3216 公制) |
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RES 6M OHM 5% 1206 TF |
电阻(欧姆):6M
功率(瓦特):0.333W,1/3W
复合体:厚膜
特点:高... |
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HVCB1206KDL2M00 |
Stackpole Electronics Inc
|
1306(3216 公制) |
500 |
RES HV 2M OHM 10% 200PPM 1206 |
电阻(欧姆):2M
功率(瓦特):0.333W,1/3W
复合体:厚膜
特点:高... |
 |
HVCB1206KDL470K |
Stackpole Electronics Inc
|
1306(3216 公制) |
1000 |
RES HV 470K OHM 10% 200PPM 1206 |
电阻(欧姆):470k
功率(瓦特):0.333W,1/3W
复合体:厚膜
特点... |
 |
HVCB2010DDC500M |
Stackpole Electronics Inc
|
2010(5125 公制) |
500 |
RES HV 500M OHM 0.5% 50PPM 2010 |
电阻(欧姆):500M
功率(瓦特):1W
复合体:厚膜
特点:高电压,脉冲耐受... |
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HVCB2010FDC100M |
Stackpole Electronics Inc
|
2010(5125 公制) |
990 |
RES HV 100M OHM 1% 50PPM 2010 |
电阻(欧姆):100M
功率(瓦特):1W
复合体:厚膜
特点:高电压,脉冲耐受... |
 |
HVCB2010FDC1M00 |
Stackpole Electronics Inc
|
2010(5125 公制) |
1000 |
RES HV 1M OHM 1% 50PPM 2010 |
电阻(欧姆):1M
功率(瓦特):1W
复合体:厚膜
特点:高电压,脉冲耐受
温... |
 |
HVCB2010FDD10M0 |
Stackpole Electronics Inc
|
2010(5125 公制) |
500 |
RES HV 10M OHM 1% 100PPM 2010 |
电阻(欧姆):10M
功率(瓦特):1W
复合体:厚膜
特点:高电压,脉冲耐受
... |
 |
HVCB2010FDL500K |
Stackpole Electronics Inc
|
2010(5125 公制) |
|
RES HV 500K OHM 1% 200PPM 2010 |
电阻(欧姆):500k
功率(瓦特):1W
复合体:厚膜
特点:高电压,脉冲耐受... |
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HVCB2010FKC100M |
Stackpole Electronics Inc
|
2010(5125 公制) |
|
RES 100M OHM 1% 2010 TF |
电阻(欧姆):100M
功率(瓦特):1W
复合体:厚膜
特点:高电压,脉冲耐受... |
 |
HVCB2010FKC10M0 |
Stackpole Electronics Inc
|
2010(5125 公制) |
3000 |
RES 10M OHM 1% 2010 TF |
电阻(欧姆):10M
功率(瓦特):1W
复合体:厚膜
特点:高电压,脉冲耐受
... |
 |
HVCB2010FKC1M00 |
Stackpole Electronics Inc
|
2010(5125 公制) |
2000 |
RES 1M OHM 1% 2010 TF |
电阻(欧姆):1M
功率(瓦特):1W
复合体:厚膜
特点:高电压,脉冲耐受
温... |
 |
HVCB2010FKL1K82 |
Stackpole Electronics Inc
|
2010(5125 公制) |
|
RES 1.82K OHM 1% 2010 TF |
电阻(欧姆):1.82k
功率(瓦特):1W
复合体:厚膜
特点:高电压,脉冲耐... |
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HVCB2010FKL2M21 |
Stackpole Electronics Inc
|
2010(5125 公制) |
|
RES 2.21M OHM 1% 2010 TF |
电阻(欧姆):2.21M
功率(瓦特):1W
复合体:厚膜
特点:高电压,脉冲耐... |
 |
HVCB2010FKL500K |
Stackpole Electronics Inc
|
2010(5125 公制) |
|
RES 500K OHM 1% 2010 TF |
电阻(欧姆):500k
功率(瓦特):1W
复合体:厚膜
特点:高电压,脉冲耐受... |
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HVCB2010FTD2M21 |
Stackpole Electronics Inc
|
2010(5125 公制) |
|
RES 2.21M OHM 1% 2010 TF |
电阻(欧姆):2.21M
功率(瓦特):1W
复合体:厚膜
特点:高电压,脉冲耐... |
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HVCB2010FTD500K |
Stackpole Electronics Inc
|
2010(5125 公制) |
|
RES 500K OHM 1% 2010 TF |
电阻(欧姆):500k
功率(瓦特):1W
复合体:厚膜
特点:高电压,脉冲耐受... |
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HVCB2010FTL2M21 |
Stackpole Electronics Inc
|
2010(5125 公制) |
|
RES 2.21M OHM 1% 2010 TF |
电阻(欧姆):2.21M
功率(瓦特):1W
复合体:厚膜
特点:高电压,脉冲耐... |
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HVCB2010FTL500K |
Stackpole Electronics Inc
|
2010(5125 公制) |
|
RES 500K OHM 1% 2010 TF |
电阻(欧姆):500k
功率(瓦特):1W
复合体:厚膜
特点:高电压,脉冲耐受... |
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HVCB2010JDL1G00 |
Stackpole Electronics Inc
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2010(5125 公制) |
500 |
RES HV 1G OHM 5% 200PPM 2010 |
电阻(欧姆):1G
功率(瓦特):1W
复合体:厚膜
特点:高电压,脉冲耐受
温... |
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HVCB2010JKL10M0 |
Stackpole Electronics Inc
|
2010(5125 公制) |
|
RES 10M OHM 5% 2010 TF |
电阻(欧姆):10M
功率(瓦特):1W
复合体:厚膜
特点:高电压,脉冲耐受
... |
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