| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 参数 | PDF资料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| HVCB1206JTL6M00 | Stackpole Electronics Inc | 1306（3216 公制） | RES 6M OHM 5% 1206 TF | 电阻（欧姆）：6M 功率（瓦特）：0.333W，1/3W 复合体：厚膜 特点：高... | ||
| HVCB1206KDL2M00 | Stackpole Electronics Inc | 1306（3216 公制） | 500 | RES HV 2M OHM 10% 200PPM 1206 | 电阻（欧姆）：2M 功率（瓦特）：0.333W，1/3W 复合体：厚膜 特点：高... | |
| HVCB1206KDL470K | Stackpole Electronics Inc | 1306（3216 公制） | 1000 | RES HV 470K OHM 10% 200PPM 1206 | 电阻（欧姆）：470k 功率（瓦特）：0.333W，1/3W 复合体：厚膜 特点... | |
| HVCB2010DDC500M | Stackpole Electronics Inc | 2010（5125 公制） | 500 | RES HV 500M OHM 0.5% 50PPM 2010 | 电阻（欧姆）：500M 功率（瓦特）：1W 复合体：厚膜 特点：高电压，脉冲耐受... | |
| HVCB2010FDC100M | Stackpole Electronics Inc | 2010（5125 公制） | 990 | RES HV 100M OHM 1% 50PPM 2010 | 电阻（欧姆）：100M 功率（瓦特）：1W 复合体：厚膜 特点：高电压，脉冲耐受... | |
| HVCB2010FDC1M00 | Stackpole Electronics Inc | 2010（5125 公制） | 1000 | RES HV 1M OHM 1% 50PPM 2010 | 电阻（欧姆）：1M 功率（瓦特）：1W 复合体：厚膜 特点：高电压，脉冲耐受 温... | |
| HVCB2010FDD10M0 | Stackpole Electronics Inc | 2010（5125 公制） | 500 | RES HV 10M OHM 1% 100PPM 2010 | 电阻（欧姆）：10M 功率（瓦特）：1W 复合体：厚膜 特点：高电压，脉冲耐受 ... | |
| HVCB2010FDL500K | Stackpole Electronics Inc | 2010（5125 公制） | RES HV 500K OHM 1% 200PPM 2010 | 电阻（欧姆）：500k 功率（瓦特）：1W 复合体：厚膜 特点：高电压，脉冲耐受... | ||
| HVCB2010FKC100M | Stackpole Electronics Inc | 2010（5125 公制） | RES 100M OHM 1% 2010 TF | 电阻（欧姆）：100M 功率（瓦特）：1W 复合体：厚膜 特点：高电压，脉冲耐受... | ||
| HVCB2010FKC10M0 | Stackpole Electronics Inc | 2010（5125 公制） | 3000 | RES 10M OHM 1% 2010 TF | 电阻（欧姆）：10M 功率（瓦特）：1W 复合体：厚膜 特点：高电压，脉冲耐受 ... | |
| HVCB2010FKC1M00 | Stackpole Electronics Inc | 2010（5125 公制） | 2000 | RES 1M OHM 1% 2010 TF | 电阻（欧姆）：1M 功率（瓦特）：1W 复合体：厚膜 特点：高电压，脉冲耐受 温... | |
| HVCB2010FKL1K82 | Stackpole Electronics Inc | 2010（5125 公制） | RES 1.82K OHM 1% 2010 TF | 电阻（欧姆）：1.82k 功率（瓦特）：1W 复合体：厚膜 特点：高电压，脉冲耐... | ||
| HVCB2010FKL2M21 | Stackpole Electronics Inc | 2010（5125 公制） | RES 2.21M OHM 1% 2010 TF | 电阻（欧姆）：2.21M 功率（瓦特）：1W 复合体：厚膜 特点：高电压，脉冲耐... | ||
| HVCB2010FKL500K | Stackpole Electronics Inc | 2010（5125 公制） | RES 500K OHM 1% 2010 TF | 电阻（欧姆）：500k 功率（瓦特）：1W 复合体：厚膜 特点：高电压，脉冲耐受... | ||
| HVCB2010FTD2M21 | Stackpole Electronics Inc | 2010（5125 公制） | RES 2.21M OHM 1% 2010 TF | 电阻（欧姆）：2.21M 功率（瓦特）：1W 复合体：厚膜 特点：高电压，脉冲耐... | ||
| HVCB2010FTD500K | Stackpole Electronics Inc | 2010（5125 公制） | RES 500K OHM 1% 2010 TF | 电阻（欧姆）：500k 功率（瓦特）：1W 复合体：厚膜 特点：高电压，脉冲耐受... | ||
| HVCB2010FTL2M21 | Stackpole Electronics Inc | 2010（5125 公制） | RES 2.21M OHM 1% 2010 TF | 电阻（欧姆）：2.21M 功率（瓦特）：1W 复合体：厚膜 特点：高电压，脉冲耐... | ||
| HVCB2010FTL500K | Stackpole Electronics Inc | 2010（5125 公制） | RES 500K OHM 1% 2010 TF | 电阻（欧姆）：500k 功率（瓦特）：1W 复合体：厚膜 特点：高电压，脉冲耐受... | ||
| HVCB2010JDL1G00 | Stackpole Electronics Inc | 2010（5125 公制） | 500 | RES HV 1G OHM 5% 200PPM 2010 | 电阻（欧姆）：1G 功率（瓦特）：1W 复合体：厚膜 特点：高电压，脉冲耐受 温... | |
| HVCB2010JKL10M0 | Stackpole Electronics Inc | 2010（5125 公制） | RES 10M OHM 5% 2010 TF | 电阻（欧姆）：10M 功率（瓦特）：1W 复合体：厚膜 特点：高电压，脉冲耐受 ... |
