型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 参数 | PDF资料 |
---|---|---|---|---|---|---|
GL4910JE000F | Sharp Microelectronics | 径向 | EMITTER IR 850NM 4.2MW SIDE T/H | 电流 - DC 正向(If):100mA 辐射强度(le)最小值@正向电流:- ... | ||
GL513F | Sharp Microelectronics | TO-18-2 金属罐 | EMITTER IR 950NM 2.88MW TO-18 | 电流 - DC 正向(If):100mA 辐射强度(le)最小值@正向电流:- ... | ||
GL514 | Sharp Microelectronics | TO-18-2 金属罐 | EMITTER IR 950NM 3.31MW TO-18 | 电流 - DC 正向(If):100mA 辐射强度(le)最小值@正向电流:- ... | ||
GL514A | Sharp Microelectronics | TO-18-2 金属罐 | EMITTER IR 950NM 2.88MW TO-18 | 电流 - DC 正向(If):100mA 辐射强度(le)最小值@正向电流:- ... | ||
GL527V | Sharp Microelectronics | T 1 3/4 | EMITTER IR 940NM 5MW 5MM T/H | 电流 - DC 正向(If):100mA 辐射强度(le)最小值@正向电流:23... | ||
GL528V | Sharp Microelectronics | T 1 3/4 | EMITTER IR 940NM 12MW 5MM T/H | 电流 - DC 正向(If):100mA 辐射强度(le)最小值@正向电流:23... | ||
GL537 | Sharp Microelectronics | T 1 3/4 | EMITTER IR 950NM 6MW 5MM T/H | 电流 - DC 正向(If):100mA 辐射强度(le)最小值@正向电流:6m... | ||
GL538 | Sharp Microelectronics | T 1 3/4 | EMITTER IR 950NM 15MW 5MM T/H | 电流 - DC 正向(If):100mA 辐射强度(le)最小值@正向电流:15... | ||
GL551 | Sharp Microelectronics | T 1 3/4 | EMITTER IR 880NM 10MW 5MM T/H | 电流 - DC 正向(If):100mA 辐射强度(le)最小值@正向电流:- ... | ||
GL560 | Sharp Microelectronics | T 1 3/4 | EMITTER IR 940NM 5MW 5MM T/H | 电流 - DC 正向(If):100mA 辐射强度(le)最小值@正向电流:14... | ||
GL561 | Sharp Microelectronics | T 1 3/4 | EMITTER IR 940NM 12MW 5MM T/H | 电流 - DC 正向(If):100mA 辐射强度(le)最小值@正向电流:25... | ||
GL610T | Sharp Microelectronics | 2-SMD,无引线 | EMITTER IR 950NM .7MW 1608 SMD | 电流 - DC 正向(If):50mA 辐射强度(le)最小值@正向电流:- 波... |