型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 参数 | PDF资料 |
---|---|---|---|---|---|---|
PTFA082201EV4 | Infineon Technologies | 2-扁平封装,叶片引线 | IC FET RF LDMOS 220W H-36260-2 | 晶体管类型:LDMOS 频率:894MHz 增益:18dB 电压 - 测试:30... | ||
PTFA082201EV4R250 | Infineon Technologies | 2-扁平封装,叶片引线 | IC FET RF LDMOS 220W H-36260-2 | 晶体管类型:LDMOS 频率:894MHz 增益:18dB 电压 - 测试:30... | ||
PTFA082201FV1 | Infineon Technologies | 2-扁平封装,叶片引线,带法兰 | IC FET RF LDMOS 220W H-37260-2 | 晶体管类型:LDMOS 频率:894MHz 增益:18dB 电压 - 测试:30... | ||
PTFA082201FV4 | Infineon Technologies | 2-扁平封装,叶片引线,带法兰 | IC FET RF LDMOS 220W H-37260-2 | 晶体管类型:LDMOS 频率:894MHz 增益:18dB 电压 - 测试:30... | ||
PTFA082201FV4R250 | Infineon Technologies | 2-扁平封装,叶片引线,带法兰 | IC FET RF LDMOS 220W H-37260-2 | 晶体管类型:LDMOS 频率:894MHz 增益:18dB 电压 - 测试:30... | ||
PTFA091201EV4 | Infineon Technologies | 2-扁平封装,叶片引线 | IC FET RF LDMOS 120W H-36248-2 | 晶体管类型:LDMOS 频率:960MHz 增益:19dB 电压 - 测试:28... | ||
PTFA091201EV4R250 | Infineon Technologies | 2-扁平封装,叶片引线 | IC FET RF LDMOS 120W H-36248-2 | 晶体管类型:LDMOS 频率:960MHz 增益:19dB 电压 - 测试:28... | ||
PTFA091201FV4 | Infineon Technologies | 2-扁平封装,叶片引线,带法兰 | IC FET RF LDMOS 120W H-37248-2 | 晶体管类型:LDMOS 频率:960MHz 增益:19dB 电压 - 测试:28... | ||
PTFA091201FV4R250 | Infineon Technologies | 2-扁平封装,叶片引线,带法兰 | IC FET RF LDMOS 120W H-37248-2 | 晶体管类型:LDMOS 频率:960MHz 增益:19dB 电压 - 测试:28... | ||
PTFA091201GLV1 | Infineon Technologies | 2-扁平封装,叶片引线 | IC FET RF LDMOS 120W PG-63248-2 | 晶体管类型:LDMOS 频率:960MHz 增益:18.5dB 电压 - 测试:... | ||
PTFA091201GLV1R250 | Infineon Technologies | 2-扁平封装,叶片引线 | IC FET RF LDMOS 120W PG-63248-2 | 晶体管类型:LDMOS 频率:960MHz 增益:18.5dB 电压 - 测试:... | ||
PTFA091201HLV1 | Infineon Technologies | 2-扁平封装,叶片引线,带法兰 | IC FET RF LDMOS 120W PG-64248-2 | 晶体管类型:LDMOS 频率:960MHz 增益:18.5dB 电压 - 测试:... | ||
PTFA091201HLV1R250 | Infineon Technologies | 2-扁平封装,叶片引线,带法兰 | IC FET RF LDMOS 120W PG-64248-2 | 晶体管类型:LDMOS 频率:960MHz 增益:18.5dB 电压 - 测试:... | ||
PTFA092201EV1 | Infineon Technologies | 2-扁平封装,叶片引线 | IC FET RF LDMOS 220W H-36260-2 | 晶体管类型:LDMOS 频率:960MHz 增益:18.5dB 电压 - 测试:... | ||
PTFA092201EV4 | Infineon Technologies | 2-扁平封装,叶片引线 | IC FET RF LDMOS 220W H-36260-2 | 晶体管类型:LDMOS 频率:960MHz 增益:18.5dB 电压 - 测试:... | ||
PTFA092201EV4R250 | Infineon Technologies | 2-扁平封装,叶片引线 | IC FET RF LDMOS 220W H-36260-2 | 晶体管类型:LDMOS 频率:960MHz 增益:18.5dB 电压 - 测试:... | ||
PTFA092201FV1 | Infineon Technologies | 2-扁平封装,叶片引线,带法兰 | IC FET RF LDMOS 220W H-37260-2 | 晶体管类型:LDMOS 频率:960MHz 增益:18.5dB 电压 - 测试:... | ||
PTFA092201FV4 | Infineon Technologies | 2-扁平封装,叶片引线,带法兰 | IC FET RF LDMOS 220W H-37260-2 | 晶体管类型:LDMOS 频率:960MHz 增益:18.5dB 电压 - 测试:... | ||
PTFA092201FV4R250 | Infineon Technologies | 2-扁平封装,叶片引线,带法兰 | IC FET RF LDMOS 220W H-37260-2 | 晶体管类型:LDMOS 频率:960MHz 增益:18.5dB 电压 - 测试:... | ||
PTFA092211ELV4 | Infineon Technologies | 2-扁平封装,叶片引线 | FET RF LDMOS 220W H33288-2 | 晶体管类型:LDMOS 频率:940MHz 增益:18dB 电压 - 测试:30... |